•Christoph Wallisser^1,2, Bernhard Limbach^1,2, Roland Schäfer¹ und Peter vom Stein^1,2
1Forschungszentrum Karlsruhe, Institut für Festkörperphysik, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe
²Fakultät für Physik, Universität Karlsruhe

Wir berichten über Messungen an Al/Al₂O₃/Al-Einzel"-elektronen"-transistoren mit Leitwerten der Tunnelkontakte in der Größenordnung des Quantenleitwertes G_K = e²/h. In diesem Regime werden über die orthodoxe Theorie hinaus deutliche Beiträge zum Transport durch Prozesse höherer Ordnungen erwartet. Sichtbar wird dies z. B. in einer Reduktion der Amplitude der Coulomboszillationen im linearen Response gegenüber dem aus der orthodoxen Theorie vorhergesagten Wert.

Ein wichtiger Parameter der theoretischen Beschreibung [1,2] ist der Quotient a = G_||/G_K, wobei G_|| der Parallelleitwert der Tunnelkontakte des Transistors ist. Dieser ist bei den üblichen Transistoren nicht direkt zugänglich. Deshalb wurde ein spezielles Transistordesign entwickelt, das es erlaubt, die Leitwerte der Tunnelkontakte einzeln zu bestimmen.

An solchen Transistoren wurden Coulomboszillationsmessungen bei verschwindender Transportspannung in Abhängigkeit von der Temperatur durchgeführt. Die Ergebnisse werden mit den theoretischen Voraussagen verglichen.