•Jochen Geerk und Alexander Zaitsev
Forschungszentrum Karlsruhe, Institut für Festkörperphysik, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe

Es werden detaillierte Tunnelmessungen an planaren Dioden vom Typ HTSL-Isolator-Pb vorgestellt. Die ReBa2Cu3O7 Filme (Re = Y, Eu, Gd) wurden mittels Kathodenzerstäubung hergestellt und vor dem Wachstum der als Isolator dienenden natürlichen Oxidschicht in einer Br-Methanol Lösung behandelt. Die in der Strom-Spannungscharakteristik bzw. deren Ableitungen auftretenden gap-artigen Strukturen wurden hinsichtlich ihrer Temperaturabhängigkeit untersucht um zwischen Zustandsdichte- und inelastischen Effekten zu unterscheiden. Die gap-artigen Strukturen zeigten keine Verringerung des Gapwertes bei Erniedrigung von Tc der Filme, z.B. durch Sauerstoffentzug oder Zulegierung. Weiterhin zeigten diese Strukturen interessanterweise deutliche Asymmetrien bezüglich der Polarität. Bei hohen Spannungen zwischen 300 und 500 mV zeigt die dI/dV-Charakteristik eine ausgeprägte Sattelstruktur, die vermutlich durch Einflüsse der HTSL-Bandstruktur hervorgerufen wird.