•Roland Schäfer, Bernhard Limbach, Christoph Wallisser und Peter vom Stein
Forschungszentrum Karlsruhe, Institut für Festkörperphysik, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe

Wir zeigen Experimente, die an zwei kapazitiv gekoppelten Einzelladungstransistoren durchgeführt wurden. Ein Transistor ist durch Erdung von Source- und Drainkontakt als Einzelladungsbox beschaltet. Die Einzelladungsbox springt als Funktion der Gatespannung zwischen Ladungszuständen, die sich durch die Zahl der auf der Boxinsel lokalisierten Elektronen unterscheiden. Der zweite Transistor wird als Elektometer genutzt. Sein Strom, der über die Kopplungskapazität vom Ladungszustand der Box abhängt, wird zur Beobachtung der Zustandsübergänge an der Box genutzt. Wir zeigen, dass das Elektrometer auf die Box rückwirkt, was zu einer Verbreiterung der Übergänge zwischen benachbarten Boxzuständen führt. Eine Verbreiterung wird schon durch das sequentielle Tunnelmodell beschrieben. Doch ein detailiertes, quantitatives Verständnis des Effekts setzt voraus, dass man Prozesse höherer Ordnung jenseits des sequentiellen Modells berücksichtigt.