•Svenja Klages1, Christoph Sürgers1 und Hilbert
v. Löhneysen1,2
1Physikalisches Institut und DFG Center for Functional Nanostructures
(CFN), Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe
2Forschungszentrum Karlsruhe, Institut für Festkörperphysik,
D-76021 Karlsruhe
Wir untersuchen den elektronischen Transport in dünnen Goldfilmen auf Si(111). Dazu werden bei Raumtemperatur 1-5 Monolagen (ML) Au auf die rekonstruierte Si(111)-7x7-Oberfläche im UHV aufgedampft und mittels Rastertunnelmikroskopie charakterisiert. Der elektronische Transport wird durch in-situ-Messungen des elektrischen Widerstands R im Temperaturbereich T = 3-300 K untersucht. Unterhalb 30 K wird R durch den Beitrag des Goldfilms dominiert wobei R mit zunehmender Schichtdicke abnimmt. In diesem Bereich wird R(T) durch Effekte der schwachen Lokalisierung bestimmt. Für T > 30 K überwiegt der Beitrag des Si-Substrats. Eine Schicht mit 5 ML zeigt nach kurzzeitigem Tempern im UHV bei 600 °C eine Rekonstruktion der Oberfläche, deren Symmetrie möglicherweise durch die Si(111)-7x7-Rekonstruktion des Substrats bestimmt wird. Für diese Schicht zeigt R(T) ein Verhalten ähnlich einem reinen Si(111) Substrat. Mögliche Ursachen wie Si-Au-Legierungsbildung werden diskutiert.